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气压烧结法(GPS)获得很大的进展

气压烧结法（ GPS)

近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。镁砂原料的纯度要尽可能高，铬铁矿化学成分的要求为：Cr2O330～45%，CaO不大于1。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。

氮化硅砖是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬(Cr2O3)为主

氮化硅砖就是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬(Cr2O3)为主要成分，方镁石和尖晶石为关键矿物质成分的耐火保温材料产品。这种砖耐火度高，高温抗压强度大，抗偏碱渣侵蚀性强，热稳定性，对酸性渣也是有一定的适应能力。氮化硅（Si3N4）存有有3种结晶体构造，分别是α、β和γ三相。制得方式氮化硅砖选用硅粉渗氮后煅烧或压合方式制得。1、氮化硅结合碳化硅制品，质地坚硬，莫氏硬度约为9，在非金属材料中属于硬度材料，仅次于金刚石。烧造氮化硅砖的生产工艺流程与镁质砖大致差不多。以便清除砖在烧制全过程中因为MgO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅砖。优势氮化硅砖耐火度高，高温抗压强度大，抗偏碱渣侵蚀性强，热稳定性，对酸性渣也是有一定的适应能力。运用用以航空公司、冶金工业、机械设备、半导体材料等工业生产中生产制造高温滚动轴承、冶金工业钳锅、半导体材料地区冶炼舟器等。氮化硅是一种关键的构造结构陶瓷。它是一种超硬化学物质，自身具备润湿性，而且抗磨损，为原子晶体；高温时。并且它还能抵御热冷冲击性，在空气中加温到1000℃之上，大幅度制冷再大幅度加温，也不会。

耐火材料一般分为两种,即不定型

耐火材料一般分为两种，即不定型耐火材料和定型耐火材料。不定型耐火材料也叫浇注料，是由多种骨料或集料和一种或多种粘和剂组成的混合粉状颗料，使用时需要和一种或多种液体配合搅拌均匀，具有较强的流动性。定型耐火材料一般指耐火砖，其形状有标准规则，也可以根据需要筑切时临时加工。反应烧结法（ RS)是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻).。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度>。然后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率< 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。常压烧结法（ PLS)在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。气压烧结法（ GPS)近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷。