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性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品

性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的***耐火保温材料产品。相对密度3.19g/cm3。热膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。耐热性好，1200～2000℃热交换器上一千次不毁坏。应用用于航空、冶金、机械、半导体等工业中制造高温轴承、冶金坩埚、半导体区域熔炼舟器等。抗折强度可达200~700MPa，耐空气氧化温度1400℃，在复原氛围中可达1870℃。室内温度电阻1.1×1014Ω·m。选用硅粉渗氮后煅烧或压合方式制得。

制取原料制造氮化硅砖的主要原料

氮化硅是一种构造结构陶瓷。它是一种硬化学物质，自身具备润湿性，而且抗磨损，为原子晶体；并且它还能抵御热冷冲击性，在空气中加温到1000℃之上，大幅度制冷再大幅度加温，也不会。更是因为氮化硅瓷器具备特点，大家经常用它来生产制造滚动轴承、机械设备密封圈等机械设备预制构件。生产制造氮化硅砖的关键原料是煅烧镁砂和铬铁矿。镁砂原料的纯净度要尽量高，铬铁矿成分的规定为：Cr2O330～45%，CaO不超1.0～1.5%。氮化硅融合碳化硅砖就是指用SiC和Si为原料，经渗氮烧制的防火产品。其特性是以Si3N4为融合剂。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。Si3N4以纤维状或纤维结晶体存有于SiC晶体中间，是一种关键的新式耐火保温材料。一般含碳化硅70%～75%，氮化硅18%～25%。具备优良耐腐蚀能力，1400℃抗折强度达50～55MPa，显孔隙率15%。线膨胀系数(4.5～5.0)×10-2℃-1。

常压烧结法(PLS)在提高烧结氮气氛压力方面,利用Si3N4

常压烧结法（ PLS)

在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。氮化硅结合碳化硅制品： 氮化硅结合碳化硅材料是一种耐火材料，主要产品有氮化硅结合碳化硅辐射管、氮化硅结合碳化硅砖等。这种方法的缺点与热压烧结相似。

耐火材料一般分为两种,即不定型

耐火材料一般分为两种，即不定型耐火材料和定型耐火材料。不定型耐火材料也叫浇注料，是由多种骨料或集料和一种或多种粘和剂组成的混合粉状颗料，使用时需要和一种或多种液体配合搅拌均匀，具有较强的流动性。定型耐火材料一般指耐火砖，其形状有标准规则，也可以根据需要筑切时临时加工。反应烧结法（ RS)是采用一般成型法，先将硅粉压制成所需形状的生坯，放入氮化炉经预氮化（部分氮化）烧结处理，预氮化后的生坯已具有一定的强度，可以进行各种机械加工（如车、刨、铣、钻).。然后，在硅熔点的温度以上；将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率< 011% ). 该产品一般不需研磨加工即可使用。常压烧结法（ PLS)在提高烧结氮气氛压力方面，利用Si3N4 分解温度升高（通常在N2 = 1atm气压下，从1800℃开始分解）的性质，在1700———1800℃温度范围内进行常压烧结后，再在1800———2000℃温度范围内进压烧结。该法目的在于采用气压能促进Si3N4 陶瓷组织致密化，从而提高陶瓷的强度.所得产品的性能比热压烧结略低。具有良好的耐碱侵蚀性、抗熔融冰晶石润湿性、耐磨性、高导热性、抗热震性和低的电导率氮化硅陶瓷材料具有热稳定性高。气压烧结法（ GPS)近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷。