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氮化硅结合碳化硅制品介绍

氮化硅结合碳化硅制品： 氮化硅结合碳化硅材料是一种耐火材料，主要产品有氮化硅结合碳化硅辐射管、氮化硅结合碳化硅砖等。 被广泛应用于钢铁、有色金属、化工建材等多种行业，具有节能、环保、耐高温、耐腐蚀等诸多优点。 氮化硅制品在窑炉中用过以后，也会出现氧化现象，有些氮化硅砖氧化以后会和碳化硅砖一样，氮化硅氧化变成碳化硅，呈现黑色的碳化硅颗粒，如果氧化的严重的情况下，氮化硅的体积会出现疏松，碳化硅含量下降，体积密度降低，耐压强度也会大大降低。其结构特征是：SiC大颗粒为基质所包围，基质部分由粒状SiC和原位生成的纤维状Si3N4所组成，Si3N4纤维交织成三维空间网络，将SiC小颗粒包围起来，并与SiC大颗粒形成牢固的机械结合。 此外，氮化硅还能应用到太阳能电池中。用PECVD法镀氮化硅膜后，不但能作为减反射膜可减小入射光的反射，而且，在氮化硅薄膜的沉积过程中，反应产物氢原子进入氮化硅薄膜以及硅片内，起到了钝化缺陷的作用。这里的氮化硅氮硅原子数目比并不是严格的4:3，而是根据工艺条件的不同而在一定范围内波动，不同的原子比例对应的薄膜的物理性质有所不同。

氮化硅陶瓷,是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷

氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。

废旧氮化硅陶瓷就是经过使用以后，损坏或者破损的氮化硅制品，

Si3N4 陶瓷是一种共价键化合物，基本结构单元为[ SiN4 ]四面体，硅原子位于四面体的中间，在其周围有四个氮原子，分别位于四面体的四个顶点，然后以每三个四面体共用一个原子的形式，在三维空间形成连续而又坚固的网络结构。

气压烧结法(GPS)获得很大的进展

气压烧结法（ GPS)

近几年来,人们对气压烧结进行了大量的研究，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。⑷研制Si3N4与SiC等材料的复合化，以便制取更多的复合材料。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度> 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。