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发布时间:2022-04-20 13:52:00 作者:佰润商贸
对单质硅的粉末进行渗氮处理的合成方法是在二十世纪50年代随着对氮化硅的重新“发现”而开发出来的。也是种用于大量生产氮化硅粉末的方法。但如果使用的硅原料纯度低会使得生产出的氮化硅含有杂质硅酸盐和铁。用二胺分解法合成的氮化硅是无定形态的,需要进一步在1400-1500℃的氮气下做退火处理才能将之转化为晶态粉末,二胺分解法在重要性方面是仅次于渗氮法的商品化生产氮化硅的方法。碳热还原反应是制造氮化硅的途径也是工业上制造氮化硅粉末成本效益的手段。但是如果仔细看的情况下,废旧碳化硅和废旧氮化硅还是可以区分开的,一般氮化硅制品的颜色是灰白色,体积密度也比碳化硅制品的大。
如果要在半导体基材上沉积氮化硅,有两种方法可供使用:
利用低压化学气相沉积技术在相对较高的温度下利用垂直或水平管式炉进行。
等离子体增强化学气相沉积技术在温度相对较低的真空条件下进行。
氮化硅的晶胞参数与单质硅不同。因此根据沉积方法的不同,生成的氮化硅薄膜会有产生张力或应力。特别是当使用等离子体增强化学气相沉积技术时,能通过调节沉积参数来减少张力。
先利用溶胶凝胶法制备出二氧化硅,然后同时利用碳热还原法和氮化对其中包含特细碳粒子的硅胶进行处理后得到氮化硅纳米线。硅胶中的特细碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解产生的。
氮化硅用做耐火材料,如与sic结合作SI3N4-SIC耐火材料用于高炉炉身等部位;反应烧结法(RS)是采用一般成型法,先将硅粉压制成所需形状的生坯,放入氮化炉经预氮化(部分氮化)烧结处理,预氮化后的生坯已具有一定的强度,可以进行各种机械加工(如车、刨、铣、钻)。如与BN结合作SI3N4-BN材料,用于水平连铸分离环。SI3N4-BN系水平连铸分离环是一种细结构陶瓷材料,结构均匀,具有高的机械强度。耐热冲击性好,又不会被钢液湿润,符合连珠的工艺要求。
由于时间有限,对于氮化硅的介绍并不是太,但也可以通过这些信息,对氮化硅有了简单的了解。另外,我公司长年生产及提供氮化硅,及其它种类的氮化材料,种类多样,价格合理,可满足广大用户对各类氮化材料的需求。
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