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碳化硅砖的化学成分

碳化硅砖是一种将高纯度碳化硅粗粉和高活性碳化硅微粉混合，经注浆成型后在2450℃高温下进行真空烧结使其再结晶而形成的高技术碳化硅材料,其理化指标为：MgO70～85％，Cl0～20％，显气孔率≤3％，体积密度2.87g／cm3，耐压强度40～50MPa，1400℃抗折强度l0～15MPa。碳化硅砖，耐火温度1650,导热系数（常温）等级低温弯折≤断裂伸长率抗弯强度抗压强度拉伸强度使用温度撕裂强度芯材形态形状产品特点：耐磨、耐腐蚀、热稳定性好、强度大、导热系数高等,可用于铝电解槽内衬、熔融铝导管和陶瓷窑用窑具、大中型高炉炉身下部、炉腰和炉腹、铝精炼炉炉衬、锌蒸馏罐衬等。

碳化硅砖是以SiC为主要原料制成的，含SiC72％～99％。分为黏土结合、Si3N4结合、Sialon结合、β-SiC结合、Si2ON2结合和重结晶等碳化硅砖。碳化硅砖是一种将高纯度碳化硅粗粉和高活性碳化硅微粉混合，经注浆成型后在2450℃高温下进行真空烧结使其再结晶而形成的高技术碳化硅材料。由于其材料纯度高（SIC≥99.5%）无中间结合相，因此它具有优良的高温机械性能，使用温度可达1700℃。

重结晶碳化硅材料适合作为窑具、窑炉配件在陶瓷、耐火材料、电瓷、电子等行业使用，它的显著的特点是其尺寸稳定性和高温承载能力，并有良好的节能效果。可制成棍棒、空心梁、棚板及异型件等产品。RSIC材料也具有很好的和抗侵蚀能力同时有很高的硬度和耐磨性，可以制成结构部件在冶金、机械、化工及领域应用。

碳化硅形成的特点是不通过液相，其过程是，约从1700摄氏度开始，碳质原料由砂粒变为熔体，进而变为蒸汽；二氧化硅熔体和蒸汽钻进碳质材料的气孔，渗入碳的颗粒，发生生成SiC的反应；温度升高至1700-1900摄氏度时，生产β-SiC；温度进一步升高至1900-2000摄氏度时，细小的β-SiC转变成α-SiC，α-SiC晶粒逐渐长大和密实；炉温再升至2500摄氏度左右，SiC开始分解变为硅蒸汽和石墨。

碳化硅材料属于自然形成的产物，虽然都知道碳化硅的优点很多，但是碳化硅在不同温度下的反应情况也是不一样的。一般情况下，碳化硅在高温的情况下是非常不稳定的，但是他可以在一千六百度的高文忠长期使用。碳化硅材料一般在空气中加热到一千到一千三摄氏度的时候就会稍微氧化，生成sic2玻璃保护层，一千三百度的时候保护层开始产生方石英，引起变裂，并且氧化速度也会增加，在一千五到一千六的时候因为二氧化硅的保护层达到了一定的厚度，氧化作用只能停止了，当达到1627摄氏度以上时，就会产生3sic+co元素。